DRAM MODULI

2008 yilda tashkil etilgan bizning guruh kompaniyamiz deyarli 15 yil davomida OEM flesh-xotira sohasida ishlaydi, OEM DRAM moduli, OEM SSD, OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF CARD, professional OEM flesh xotira yetkazib beruvchisi sifatida, biz asosiy brend mijozlariga xizmat ko'rsatishga e'tibor qaratganmiz. , asosiy savdogarlar va mamlakat distribyutorlari. Savdogarlar va mamlakat distribyutorlarini yaxshiroq qo'llab-quvvatlash uchun bizda Gonkongda ham, ShenZhenda ham muntazam tayyor mahsulotlar bor, biz har oy 1 million donadan ko'proq sotdik.

So'rov yuborish

Biz asosan DDR3, DDR4-ni SSD biznesi bilan shug'ullanadigan mijozlar, brend mijozlari yoki kompyuter zavodlari uchun qo'llab-quvvatlaymiz, shuningdek, bizda LPDDR mavjud bo'lib, hozirda faqat Xitoyning asosiy mobil telefonlari va IPAD mijozlari va ba'zi aqlli soatlar mijozlarini qo'llab-quvvatlaydi. Yuqori unumdorligi va kam iste'moli bilan kichik o'lchamli aqlli qurilmalar uchun yaxshi.

Dram/LPDDR texnik parametri:

MAHSULOT toifasi	XUSUSIYATLAR / MAXSAL MA'LUMOT TEZKI	Zichlik	PAKET	FAOLIYAT TEMPERATURA
DRAM	DRAM D3	2 Gb / 4 Gb	FBGA 96 to'pi	25 daraja ~ 85 daraja
DRAM	DRAM D4	4 Gb / 8 Gb	FBGA 96 to'pi
DRAM moduli	U-DIMM	4GB / 8GB / 16GB/32GB	/	0 daraja - 85 daraja
	SO-DIMM
	R-DIMM	8 GB/16 GB/32 GB	/	0 daraja - 85 daraja
LPDDR	LP DDR4	2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB	200 to'p	0 daraja - 70 daraja

Texnik xususiyatlari:

Mahsulot modeli raqami.	Spetsifikatsiya	Zichlik	Hajmi	Paket
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	8 GB X8/X16 1,2V*2666/2933/3200Mbit/s	8 GB	7,5 x 13,3 mm (W x L)	78to'p/96to'p
DRAM U-DIMM /SOD-IMM	16 GB X8/X16 1,2V*2666/2933/3200Mbit/s	16 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78to'p/96to'p
DRAM U-DIMM /SO-DIMM	32 GB X8/X16 1,2V*2666/2933/3200Mbit/s	32 GB	10,3 x 11 mm (W x L)	78to'p/96to'p

Mavjud modul:

Qism raqami 1)	Zichlik	Tashkilot	Komponent tarkibi	soni Daraja	Balandligi
4 GB UDIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	31,25 mm
8 GB UDIMM	8 GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	31,25 mm
16 GB UDIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	31,25 mm
4 GB SODIMM	4GB	512Mx64	512Mx16 * 4	1	30 mm
8 GB SODIMM	8 GB	1Gx64	1Gx8 * 8	1	30 mm
16 GB SODIMM	16 GB	2Gx64	1Gx8 * 16	2	30 mm

ESLATMA:

1) (2133Mbps 15-15-15) / (2400Mbps 17-17-17) / (2666Mbps 19-19-19) / (3200Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) past chastotaga orqaga qarab mos keladi.

ASOSIY XUSUSIYATLAR

Tezlik	DDR4-2133	DDR4-2400	DDR4-2666	DDR4-3200	DDR4-3200	DDR4-3200	Birlik
Tezlik	15-15-15	17-17-17	19-19-19	22-22-22	19-19-19	16-18-18	Birlik
tCK (min)	0.938	0.833	0.75	0.625	0.625	0.625	ns
CAS kechikishi	15	17	19	22	19	16	nCK
tRCD(min)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRP(daq)	14.06	14.16	14.25	13.75	11.875	11.25	ns
tRAS(daq)	33	32	32	32.5	30.0	22.5	ns
tRC(daq)	47.06	46.16	46.25	46.25	41.875	33.75	ns

●JEDEC standarti 1,2V ± 0,06V quvvat manbai

●V_DDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067MHz f_CK2133Mb/sek/pin,1200MHz f uchun_CK2400Mb/sek/pin uchun 1333MHz fCK 2666Mb/sek/pin uchun, 1600MHz fCK 3200Mb/sek/pin uchun

●16 bank (4 bank G guruhi)

●Programlanadigan CAS kechikish: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Programmlanadigan qoʻshimcha kechikish (Posted CAS): 0, CL - 2 yoki CL - 1 soat

●Dasturlashtiriladigan CAS yozish kechikishi (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) va 14,18 (DDR4- 2666) • Yozib olish uzunligi : 8, 4, tCCD=4 bilan uzluksiz o‘qish yoki yozishga ruxsat bermaydi [A12 yoki MRS yordamida tez orada]

●Ikki tomonlama differensial ma'lumotlar strobi

●ODT pinidan foydalangan holda qolipni tugatishda

●Oʻrtacha yangilanish davri TCASE 85C dan pastroqda 7.8us, 85C da 3.9us < TCASE  95C

●Asynchronous Reset

FUNKSIYA BLOK DIAGRAMI:

4 GB, 512 M x 64 modul (x16DDR4 SDRAMlarning 1-darajasi sifatida joylashtirilgan)

ESLATMA :

1) Agar boshqacha ko'rsatilmagan bo'lsa, qarshilik qiymatlari 150Ō 5% ni tashkil qiladi.

2) ZQ rezistorlari 2400Ō 1 foizga teng. Boshqa barcha qarshilik qiymatlari uchun tegishli ulanish sxemasiga qarang.

8 GB, 1Gx64 modul (1 darajali x 8DDR4 SDRAM sifatida joylashtirilgan)

Issiq teglar: dram modul, ulgurji, narxi, ommaviy, OEM